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Anomalous carbon lattice sites around threading screw dislocations in semi-insulating GaN

Zhaohua Shen, Xuelin Yang, Zhenghao Chen, H. Yang, Yingming Song, Xuan Liu, Zhijian Yang, Ning Tang, Fujun Xu, Xinqiang Wang, Bo Shen

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Le résumé fourni par la source

The interactions between carbon (C) dopant and threading screw dislocations (TSDs) in semi-insulating GaN have been investigated by performing the first principles calculations. The results indicate that C atoms prefer to aggregate around TSDs. In particular, C tends to substitute Ga lattice sites in the vicinity of both single-ring and double-ring (DR) TSDs, which contrasts with the behavior observed in bulk regions of GaN without dislocations. Furthermore, we find that C substitutions at Ga sites near DR TSDs can eliminate the deep levels originally present in the bandgap. The present work would pave the way for further understanding the interactions between impurities and dislocations in GaN.

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Le contrôle bibliographique ouvert

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Titre Crossref: Anomalous carbon lattice sites around threading screw dislocations in semi-insulating GaN
Date Crossref: 01/01/2026
Éditeur: AIP Publishing
Type: journal-article

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Université ou école supérieure
Collaborative Innovation Center of Quantum Matter pays non établi dans la notice
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School of Physics State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics pays non établi dans la notice
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Peking University, Collaborative Innovation Center of Quantum Matter et State Key Laboratory of Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics — School of Physics.

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