Surface Engineering of Ti–Pt Bottom Electrodes for Precise Texture Control of PZT Thin Films on Si
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Le résumé fourni par la source
Growing ferroelectric films with different textures under identical process conditions poses a significant materials challenge. The texture of the ferroelectric films is largely influenced by the underlying substrate. Ti/Pt deposited on silicon is widely used as a bottom electrode and substrate for the growth of PZT thin films. In this study, we developed a novel two-step deposition process to engineer the surface of the Ti/Pt bottom electrode, enabling the growth of distinct (100) and (111) textured PZT thin films on different regions of the same silicon wafer. Using photolithography, we successfully sputter-deposited monolayer and bilayer Ti/Pt on separate regions of the wafer, allowing for controlled texture formation under identical processing conditions. We found that the bilayer Ti/Pt bottom electrode effectively suppressed Ti diffusion and oxide formation, critical factors for achieving (100) textured PZT growth. In contrast, the monolayer Ti/Pt exhibited Ti diffusion and oxide formation, leading to the growth of (111) textured PZT. Ferroelectric and piezoelectric measurements showed that (100) textured films exhibited enhanced piezoelectric and dielectric properties, ( d 33,f(100) = 115 pm/V, d 33,f(111) = 36 pm/V). These findings highlight the potential of surface-engineered Ti/Pt electrodes in optimizing PZT thin films for piezoelectric MEMS applications.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Surface Engineering of Ti–Pt Bottom Electrodes for Precise Texture Control of PZT Thin Films on Si
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- American Chemical Society (ACS)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Indian Institute of Science Bangalore pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Centre for Nano Science and Engineering pays non établi dans la noticeInstitution
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies, Indian Institute of Science Bangalore et Centre for Nano Science and Engineering.
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