Energy Level Engineering of PbS Quantum Dots via Aluminum Surface Modification for High-Performance Infrared Photodetectors
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Le résumé fourni par la source
Solution-processed lead sulfide quantum dot (PbS QD) photodetectors are promising candidates for use as infrared imagers. However, as the absorption spectra of PbS QDs extend to long wavelengths, their conduction band level is too deep to construct a cascaded energy band structure with electron-transport layers (ETLs). Herein, a matched cascade band structure constructed by aluminum surface modification (Al-SM) PbS QDs and ETLs is reported. This strategy is proposed to mediate the band level of small bandgap (0.74 eV) PbS QDs. Compared with the control devices, the photodiodes fabricated through this method achieve a 3.2 times lower dark current density of approximately 842 nA/cm 2 at −0.1 V bias and a 3 times higher specific detectivity of 1.5 × 10 11 Jones at 1650 nm, improving the air storage stability significantly. These findings suggest that the Al-SM strategy in PbS QDs can mediate energy level shifts, providing a way to optimize the performance of QD optoelectronic devices.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Energy Level Engineering of PbS Quantum Dots via Aluminum Surface Modification for High-Performance Infrared Photodetectors
- Date Crossref
- 22/12/2025
- Éditeur
- American Chemical Society (ACS)
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Anhui University of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Wuhan National Laboratory for Optoelectronics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Huazhong University of Science and Technology Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Wuhan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Hunan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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CNC Technology (Czechia) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Newford Research Institute of Advanced Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Institute of Advanced Manufacturing Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Energy and Environment pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Optics Valley Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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School of Electrical Engineering and Automation pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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The Institute of Technological Sciences pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Anhui University of Technology, Wuhan National Laboratory for Optoelectronics et Wuhan National Laboratory for Optoelectronics (WNLO) — Huazhong University of Science and Technology, avec 9 autres affiliations.
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