Theoretical study of sub-5nm monolayer LiAlO2 field-effect transistor: Effects of underlap structure and high temperature
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4Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Theoretical study of sub-5nm monolayer LiAlO2 field-effect transistor: Effects of underlap structure and high temperature
- Date Crossref
- 01/03/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Chongqing Three Gorges UniversityChangsha University of Science and TechnologyChongqing Institute of Green and Intelligent TechnologyYan'an University
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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