Radio-frequency assisted switching in perpendicular magnetic tunnel junctions
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Le résumé fourni par la source
Abstract Spin-transfer torque magnetic random-access memory (STT-MRAM) relies on nanoscale magnetic tunnel junctions (MTJs) as its fundamental building blocks. Next-generation STT-MRAM requires strategies that simultaneously improve switching energy efficiency and device endurance. Here, we present the first study of perpendicular STT-MRAM writing assisted by radio-frequency (RF) spin torque. We show that applying a small-amplitude RF pulse prior to a direct-current (DC) write pulse enhances the MTJ switching probability, with the efficiency gain increasing at lower RF frequencies. This RF+DC writing scheme enables shorter DC pulses, thereby improving device endurance. Analytical and numerical modeling qualitatively reproduces the experimental trends, while quantitative discrepancies indicate that realistic MTJ properties beyond idealized models play an important role in RF-assisted switching.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Radio-frequency assisted switching in perpendicular magnetic tunnel junctions
- Date Crossref
- 04/05/2026
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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University of California Department of Physics and Astronomy pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Naples Federico II Department of Electrical Engineering and Information Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Western Digital (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Samsung (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Samsung Semiconductor (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Western Digital Technologies pays non établi dans la noticeInstitution
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Samsung Semiconductor Inc pays non établi dans la noticeEntreprise
Department of Physics and Astronomy — University of California, Department of Electrical Engineering and Information Technology — University of Naples Federico II et Western Digital (United States), avec 4 autres affiliations.
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