High gain Ga2O3/GaN avalanche photodetector with separated absorption and multiplication structure
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The β-Ga2O3/p-GaN heterojunction avalanche photodetector (APD) with separated absorption and multiplication (SAM) structure was fabricated by metal–organic chemical vapor deposition. Through x-ray diffraction and scanning electron microscopy characterization, the Ga2O3 films exhibit relatively high crystalline quality. Through reasonable design of the electron concentration and thickness of the Ga2O3 layers, the device achieves an ultrahigh avalanche gain (Gain) of 1.75 × 107, an external quantum efficiency (EQE) of 4.53 × 107%, and a high responsivity (R) of 9.28 × 104 A/W under 254 nm solar-blind ultraviolet illumination (5 μW/cm2). The working mechanism of SAM-APD was further validated through TCAD simulations. Compared to conventional APDs, the SAM structure can significantly enhance avalanche gain and EQE, thereby improving the weak signal detection level of the APD effectively.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- High gain Ga2O3/GaN avalanche photodetector with separated absorption and multiplication structure
- Date Crossref
- 15/12/2025
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Fourth People's Hospital of Shenzhen pays non établi dans la noticeÉtablissement de santé
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Changchun Institute of Optics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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College of Electronic Science and Engineering State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Shenzhen Pinghu Laboratory 2 Group of the Fourth-generation Semiconductor Materials and Devices pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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State Key Laboratory of Luminescence and Applications pays non établi dans la noticeStructure de recherche
State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Fourth People's Hospital of Shenzhen et Changchun Institute of Optics, avec 3 autres affiliations.
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