N‐Type Behavior from a P‐Type Dopant: Charge Compensation Mechanisms in Trivalent Y‐Doped HfO 2
Rattachement africain : de. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
ABSTRACT The current market launch of HfO 2 ‐based ferroelectric devices relies on the control of the inherent oxygen vacancies (OVs) and their impact on the ferroelectric performance. Due to the necessary stabilization of the ferroelectric phase by doping, several dopants are investigated for their applicability to control the vacancy concentration. Hf signatures in X‐ray photoemission spectra are often used as an indication of OVs for both qualitative and quantitative analysis. The analysis of Y doped HfO 2 (Y:HfO 2 ) as investigated by hard x‐ray photoelectron spectroscopy (HAXPES) reveals the inapplicability of the Hf signature for a quantitative determination of OVs in the case of heterovalent doping and is restricted to pure HfO 2 or isoelectronic substitution of Hf by, for example, Zr.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- N‐Type Behavior from a P‐Type Dopant: Charge Compensation Mechanisms in Trivalent Y‐Doped HfO <sub>2</sub>
- Date Crossref
- 07/12/2025
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
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