Simulation of radiation damage effect on silicon detectors using RASER
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Le résumé fourni par la source
Abstract Silicon detectors play a crucial role in high energy physics experiments. In future high energy physics experiments, silicon detectors will be exposed to extremely high fluence environment, which can significantly affect their performance. It is important to understand the electrical behavior of detectors after irradiation. In this study, an irradiation simulation framework is constructed in RAdiation SEmiconductoR (RASER) to simulate leakage current and charge collection effciency. The defect parameters are obtained from the Hamburg penta trap model (HPTM). Based on this work, we predict the silicon inner tracker which under a ten-year Circular Electron Positron Collider (CEPC) Higgs mode run can still maintain over 90% charge collection efficiency.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Simulation of radiation damage effect on silicon detectors using RASER
- Date Crossref
- 01/12/2025
- Éditeur
- IOP Publishing
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Jilin University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Institute of High Energy Physics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Tsinghua University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Shandong Institute of Advanced Technology pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Jilin University, Institute of High Energy Physics et University of Chinese Academy of Sciences, avec 2 autres affiliations.
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