Gate Oxide TDDB Lifetime Evaluation of SiC MOSFETs by HTGB Test Using Square Wave Voltage
Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
#46
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Le contrôle bibliographique ouvert
Où se fait cette recherche
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Chiba Institute of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Tokyo Metropolitan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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The University of Tokyo pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Chiba Institute of Technology, Tokyo Metropolitan University et The University of Tokyo.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.