Aller au contenu principal
Accès ouvert déclaré 2025 conference-paper

Gate Oxide TDDB Lifetime Evaluation of SiC MOSFETs by HTGB Test Using Square Wave Voltage

0Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
3Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

#46

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

Aucun DOI disponible pour le contrôle Crossref.

Où se fait cette recherche

  • Chiba Institute of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Tokyo Metropolitan University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • The University of Tokyo pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Chiba Institute of Technology, Tokyo Metropolitan University et The University of Tokyo.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Silicon Carbide Semiconductor TechnologiesSemiconductor materials and devicesAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit Design

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.