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2025 article

Epitaxial Strain Engineering of High-Quality Freestanding Single-Crystalline Complex Oxides

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Rattachement africain : dk, kr, de, at. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Freestanding strongly correlated complex oxide thin films hold great potential in next-generation electronic and energy applications. Their high integrability and tunable properties may surpass those in bulk or epitaxial films. Water-assisted lift-off method is widely used to produce single-crystalline complex oxide membranes. It involves utilizing water-soluble sacrificial oxides such as Sr 3 Al 2 O 6 (SAO), incorporated during multilayer growth. A key challenge is the incompatibility of direct growth between certain functional oxides (e.g., ferroics) and SAO, along with limited understanding of how film growth impacts both SAO dissolution and subsequent membrane quality. Here, we demonstrate how epitaxial strain engineering of SAO-based heterostructures, combined with overlying oxide layers (SrTiO 3 and La 0.7 Sr 0.3 MnO 3 ) grown via pulsed laser deposition, yields scalable, high-quality single-crystalline membranes through rapid, reproducible fabrication. Our findings reveal that the epitaxial strain of SAO layer is strongly affected by the subsequent growth condition (e.g., oxygen partial pressure) of upper oxide layers. Minimizing the strain relaxation of the SAO layer is crucial for both the layer-by-layer growth of upper oxide films and efficient dissolution dynamics of SAO. The use of a tetragonally strained SAO layer, remaining under oxygen-reduced conditions throughout the multilayer growth, allows for uniform and rapid (≤10 min) dissolution in water, producing millimeter-scale, microcrack-free, functional single-crystalline oxide membranes. This work provides key insights into how epitaxial growth affects membrane release and quality, providing a robust pathway for reliable, high-performance integration of freestanding oxide membranes using water-soluble layers.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Epitaxial Strain Engineering of High-Quality Freestanding Single-Crystalline Complex Oxides
Date Crossref
26/11/2025
Éditeur
American Chemical Society (ACS)
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Technical University of Denmark pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Luther University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Max Planck Institute of Microstructure Physics pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Martin Luther University Halle-Wittenberg pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Johannes Kepler University of Linz pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Department of Energy Conversion and Storage pays non établi dans la notice
    Institution
  • Institute of Physics pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Johannes Kepler University Linz pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • DTU Nanolab pays non établi dans la notice
    Structure de recherche

Technical University of Denmark, Luther University et Max Planck Institute of Microstructure Physics, avec 6 autres affiliations.

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