A BJT‐Based Temperature Sensor With 58 pJ·K 2 FOM and ± 0.6°C Inaccuracy From −40 to 125°C
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Le résumé fourni par la source
ABSTRACT In this paper, a CMOS temperature sensor with high precision and fast response customized for temperature monitoring in power systems is presented. Substrate p‐n‐p bipolar transistor (BJT) is used as the temperature‐sensitive device to generate temperature‐dependent voltage. The readout circuit consists of a dynamically second‐order one‐bit sigma‐delta (Σ∆) analog‐to‐digital converter (ADC), realizing a digital representation of temperature. To mitigate the process variation and mismatch, chopper stabilization (CS) and dynamic element matching (DEM) techniques are used in the temperature sensing front end. The digital back end implements curve fitting and calibration, with fine‐tuning of the proportional factor to achieve digital curvature correction. The temperature sensor is implemented in a standard 0.18‐μm CMOS process, with a layout area of 0.05 mm 2 , and draws a 21.4‐μA total current from a 3.3‐V supply. After single‐point calibration, an inaccuracy of 0.73% and a resolution of 20 mK are achieved from −40 to 125°C, resulting in a resolution figure of merit (FOM) of 58 pJ·K 2 .
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- A BJT‐Based Temperature Sensor With 58 pJ·K <sup>2</sup> FOM and ± 0.6°C Inaccuracy From −40 to 125°C
- Date Crossref
- 25/11/2025
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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University of Science and Technology of China Institute of Advanced Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Hefei General Machinery Research Institute (China) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Institute of Microelectronics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Ltd Hefei China Hefei Science of China Microelectronics Innovation Center Co. pays non établi dans la noticeEntreprise
Institute of Advanced Technology — University of Science and Technology of China, Hefei General Machinery Research Institute (China) et Institute of Microelectronics, avec 1 autre affiliation.
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