Goos-Hänchen shift enhancement and refractive index sensing performance of black phosphorene-silicon multilayer films
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Le résumé fourni par la source
古斯-汉欣（GH）位移作为一种特殊的光学现象，在高灵敏传感、光开关及纳米光子器件等领域具有广泛应用前景。本文构建了一种黑磷烯-硅介质交替堆叠的层状结构，采用转移矩阵法研究了光电导率、偏振模式、周期层数以及外加电压对该结构在近红外波段的反射特性与GH位移的影响。研究表明，黑磷烯的引入使横磁（TM）波在布儒斯特角处的反射相位由阶跃突变转变为连续变化，从而产生高达40倍波长的GH位移；横电（TE）波在掠入射条件下亦可实现数倍波长的GH位移；通过增加周期层数和施加外电压可有效增强GH位移并调节其角度响应。该结构对末端介质折射率变化表现出高达105 λ/RIU量级灵敏度，在近红外可调谐光电器件与高灵敏度光学传感器方面展现出良好的应用潜力。
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Goos-Hänchen shift enhancement and refractive index sensing performance of black phosphorene-silicon multilayer films
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Acta Physica Sinica, Chinese Physical Society and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences
- Type
- journal-article
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Les sujets associés
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