Role of directly grown multiwalled carbon nanotube as intermediate layers for GaN on c-plane sapphire
0Citations signalées — pas une note de qualité
6Institutions déclarées
2Pays d’affiliation déclarés
Résumé indisponible : les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits depuis son seul titre.
Contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Role of directly grown multiwalled carbon nanotube as intermediate layers for GaN on c-plane sapphire
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude et ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Institutions déclarées
Azerbaijan State Oil and Industry UniversitySumgayit State UniversityInstitute of Education of the Republic of AzerbaijanMinistry of Science and Education Republic of AzerbaijanMinistry of HealthcareUniversität Ulm
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Sujets associés
GaN-based semiconductor devices and materialsCarbon Nanotubes in CompositesBoron and Carbon Nanomaterials Research