Bankable large area transparent conducting Nb and Sb co-doped SnO2 thin films
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Rattachement africain : in, kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Bankable large area transparent conducting Nb and Sb co-doped SnO2 thin films
- Date Crossref
- 01/12/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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National Institute of Technology Warangal Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Indian Institute of Technology Dharwad Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Yeungnam University Department of Electronic Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Hyderabad pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Vels University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Vellore Institute of Technology University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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SRM Institute of Science and Technology Department of Physics and Nanotechnology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Chemistry Solarcells & Photonics Research Laboratory pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Advanced Science Division of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Department of Physics — National Institute of Technology Warangal, Department of Physics — Indian Institute of Technology Dharwad et Department of Electronic Engineering — Yeungnam University, avec 6 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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