Trapeze Active Deep Trench Designs for Enhanced Charge Transfer Performances in CCD-on-CMOS Image Sensor
Rattachement africain : fr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A new design of active deep trench CCD-on-CMOS is described and characterized, featuring a two-phase pixel with a built-in electric field that enables highly efficient and fast charge transfer. A charge transfer inefficiency of 10-5is achieved with just 100 ns transfer time in 12 μm pixels. Improvements in dark current and noise are reported as an effect of dynamic interface pinning, down to 21 pA.cm-2and 5.3 e-, respectively. The effects of pixel pitch and transfer time on transfer efficiency are discussed.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Trapeze Active Deep Trench Designs for Enhanced Charge Transfer Performances in CCD-on-CMOS Image Sensor
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.