Operation Under High Ionizing Dose Rates of Gamma or X-Ray Radiation of a 10 µm Radiation Tolerant Global Shutter Pixel
Rattachement africain : be. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A 10 × 10 µm2 radiation-tolerant voltage-domain global shutter pixel with radiation-hardened by design (RHBD) device modification is developed to operate under high ionizing-dose rates and high total ionizing-dose (TID) levels. Therefore, a modified NMOS transistor layout is used in the pixel to achieve radiation hardness. The pixel design is demonstrated to operate up to 1 MGy or 100 Mrad (SiO2) TID with minimal degradation. The global shutter pixel also includes correlated double sampling (CDS) to reduce noise and the impact of the collected carriers generated by the flux of gamma or X-ray radiation. Combined with an external flash, global shutter operation allows short exposures, which limits the impact of radiation on dark current and dynamic range. The pixel is designed using 180 nm CMOS Image Sensor (CIS) technology.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Operation Under High Ionizing Dose Rates of Gamma or X-Ray Radiation of a 10 µm Radiation Tolerant Global Shutter Pixel
- Date Crossref
- 14/11/2025
- Éditeur
- MDPI AG
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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