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2025 article

Quantum Spin Hall Effects in Van der Waals Materials

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Le résumé fourni par la source

Abstract The quantum spin Hall (QSH) effect, first predicted in graphene by Kane and Mele in 2004, has become a key platform for exploring spin–orbit coupling, topology, and electronic interactions. Initially demonstrated in quantum wells, the field has expanded with the emergence of van der Waals (vdW) materials. This review focuses on vdW systems, which provide unique advantages: exposed surfaces allow comprehensive spectroscopic and microscopic detection of the QSH state; mechanical stacking enables symmetry tuning and proximity effects; and moiré engineering introduces new topology and strong correlations. We highlight two monolayer families, 1T'‐MX 2 and , represented by WTe 2 and TaIrTe 4 , respectively, which host QSH phases in close proximity to other quantum states including excitonic insulators, charge density waves, and superconductivity. Their low symmetry and topology produce rich quantum geometrical responses, from nonlinear Hall to circular photogalvanic effects. We also discuss moiré systems that combine topology with flatband physics, enabling spontaneous symmetry breaking and transitions from QSH to quantum anomalous Hall (QAH) states. Recent observations of fractionalized QAH and QSH states mark a major advance in condensed matter physics. Finally, we outline potential applications, such as nonlinear Hall–based microwave rectification and fractional states for topological quantum computing.

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Quantum Spin Hall Effects in Van der Waals Materials
Date Crossref
01/11/2025
Éditeur
Wiley
Type
journal-article

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Les institutions déclarées

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Les sujets associés

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