Principle of pH-sensitive graphene-based field-effect transistors caused by double layer capacitance and faradaic reactions
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Contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Principle of pH-sensitive graphene-based field-effect transistors caused by double layer capacitance and faradaic reactions
- Date Crossref
- 01/12/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Institutions déclarées
East China Normal UniversityShanghai Institute of TechnologyUniversity of Electro-CommunicationsShanghai Jiao Tong UniversityShandong University of Science and Technology
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Sujets associés
Analytical Chemistry and SensorsGraphene research and applicationsElectrochemical sensors and biosensors