Broad Beam Plasma Enhanced Low-Temperature Growth of Oriented Aluminum Nitride Thin Films
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
High Resolution Image Download MS PowerPoint Slide Aluminum nitride (AlN) thin films with (0002) orientation have exceptional piezoelectric and optoelectronic properties for various applications. It remains challenging to grow highly oriented AlN films at low temperature (e.g., below 200 °C) using conventional magnetron sputtering. This study introduces a broad beam ion source-enhanced pulsed DC magnetron sputtering, which enables the growth of (0002) preferentially oriented polycrystalline AlN films at room temperature. The effects of the ion energy and ion flux on surface roughness, crystal orientation, and piezoelectric properties are systematically studied. The film crystallinity is significantly improved under an optimum ion energy; X-ray diffraction shows that the full width at half-maximum (FWHM) of the (0002) peak decreases from 0.7298 to 0.3751°. The average surface roughness is reduced from 2.65 to 0.95 nm. The effective piezoelectric d 33 eff value increases from 1.69 to 6.06 pm/V. These findings demonstrate that the ion beam facilitates crystal growth under nonthermal equilibrium conditions, offering significant advantages over conventional thin film growth.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Broad Beam Plasma Enhanced Low-Temperature Growth of Oriented Aluminum Nitride Thin Films
- Date Crossref
- 04/11/2025
- Éditeur
- American Chemical Society (ACS)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Quantitative BioSciences pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
-
Michigan State University Department of Plant Biology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Fraunhofer USA pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
-
Department of Electrical and Computer Engineering pays non établi dans la noticeInstitution
-
Institute for Quantitative Health Science and Engineering pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Department of Chemical Engineering and Materials Science pays non établi dans la noticeInstitution
-
Department of Plant Biology pays non établi dans la noticeInstitution
-
Department of Biomedical Engineering pays non établi dans la noticeInstitution
Quantitative BioSciences, Department of Plant Biology — Michigan State University et Fraunhofer USA, avec 5 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.