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2025 article

A new equivalent circuit design for a multi-gate MOSFET device: investigation of electrical behavior and application in current mirror

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Rattachement africain : Algérie, tr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

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Le contrôle bibliographique ouvert

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Titre Crossref
A new equivalent circuit design for a multi-gate MOSFET device: investigation of electrical behavior and application in current mirror
Date Crossref
03/11/2025
Éditeur
Springer Science and Business Media LLC
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

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