2025 conference-paper

IDT / Dummy Finger Gap Optimization for Q-Enhancement and Transverse-Mode Reduction in SH-SAW Resonators on SiC Substrate

Feng Yang, Zonglin Wu, Jiang Liu, Hangyu Qian, Shijia Li, Feihong Bao, Qiaozhen Zhang, Xiongchuan Huang

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Le résumé fourni par la source

This study demonstrates that optimizing the gap geometry between interdigital transducers (IDTs) and dummy fingers to reduce transverse spurious modes and enhance quality factor (Q) of shear-horizontal surface acoustic wave (SH-SAW) resonators. The proposed gap functions as a strong energy barrier that reflects transverse waves within the passband, without introducing additional design complexity. Firstly, 2.5D finite element method (FEM) simulations confirmed the efficiency of the energy barrier theory. Secondly, the SAW resonators with varying gap were fabricated on 42° YX-LT/SiO2/α-Si/SiC heterostructures at same wavelength (λ = 1.5 µm). The measurements show that resonator with a narrow gap significantly attenuated transverse-mode amplitudes compared to its wide-gap counterpart. The optimized narrow gap (gap = 0.3µm) achieved a Bode-Qmaxof 1607 – representing a 63.7% enhancement over its wide-gap counterpart (gap = 1.5µm) (Bode-Qmax=982).

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: IDT / Dummy Finger Gap Optimization for Q-Enhancement and Transverse-Mode Reduction in SH-SAW Resonators on SiC Substrate
Date Crossref: 15/09/2025
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

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Où se fait cette recherche

Fudan University pays non établi dans la notice
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Huzhou Normal University pays non établi dans la notice
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Shanghai Normal University pays non établi dans la notice
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Yangtze Delta Region Institute (Huzhou) University of Electronic Science and Technology of China pays non établi dans la notice
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