Nearly Ideal Subthreshold Swing in Monolayer WSe2 Top-Gate pFETs with Scaled EOT of 0.8 nm
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- Titre Crossref
- Nearly Ideal Subthreshold Swing in Monolayer WSe<sub>2</sub> Top-Gate pFETs with Scaled EOT of 0.8 nm
- Date Crossref
- 17/09/2025
- Éditeur
- The Japan Society of Applied Physics
- Type
- proceedings-article
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Les sujets associés
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