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Accès ouvert déclaré 2026 article

Cryogenic rf-to-microwave transducer based on a dc-biased electromechanical system

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7Institutions déclarées
2Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : fr, dk. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

We report a two-stage, heterodyne rf-to-microwave transducer that combines a tunable electrostatic pre-amplifier with a superconducting electromechanical cavity. A metalized Si 3 N 4 membrane (3 MHz frequency) forms the movable plate of a vacuum-gap capacitor in a microwave LC resonator. A dc bias across the gap converts any small rf signal into a resonant electrostatic force proportional to the bias, providing a voltage-controlled gain that multiplies the cavity’s intrinsic electromechanical gain. In a flip-chip device with a 1.5 µm gap operated at 10 mK we observe dc-tunable anti-spring shifts, and rf-to-microwave transduction at 49 V bias, achieving a charge sensitivity of 87 µe/ Hz (0.9 nV/ Hz ). Extrapolation to sub-micron gaps and state-of-the-art Q > 10 8 membrane resonators predicts sub-200 fV/ Hz sensitivity, establishing dc-biased electromechanics as a practical route towards quantum-grade rf electrometers and low-noise modular heterodyne links for superconducting microwave circuits and charge or voltage sensing.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Cryogenic rf-to-microwave transducer based on a dc-biased electromechanical system
Date Crossref
28/01/2026
Éditeur
MathDoc/Centre Mersenne
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Les institutions déclarées

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Electromagnetic Effects on MaterialsMicrowave and Dielectric Measurement TechniquesAdvanced MEMS and NEMS Technologies

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