Features of Magnetization Reversal in Magnetic Layers of a Synthetic Antiferromagnet in a Spin-Tunnel Element
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Le résumé fourni par la source
A theoretical model of a spin-tunnel element containing a synthetic antiferromagnet is developed, based on the concept of the coherent rotation of magnetization vectors of ferromagnetic nanolayers under the influence of an external magnetic field. The obtained field dependences $$\cos ({{\theta }_{r}}(h))$$ for nearly compensated and non-compensated synthetic antiferromagnets show that a 30% non-compensated synthetic antiferromagnet switches magnetization at lower fields.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Features of Magnetization Reversal in Magnetic Layers of a Synthetic Antiferromagnet in a Spin-Tunnel Element
- Date Crossref
- 01/09/2025
- Éditeur
- Pleiades Publishing Ltd
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Research and Production Complex Technological Centre pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Lomonosov Moscow State University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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V. A. Trapeznikov Institute of Control Sciences pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Scientific-Manufacturing Complex “Technological Centre” pays non établi dans la noticeInstitution
Research and Production Complex Technological Centre, Lomonosov Moscow State University et V. A. Trapeznikov Institute of Control Sciences, avec 1 autre affiliation.
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