Optimizing Laser Diode Performance with Al-Composition Graded Last Quantum Barriers
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Le résumé fourni par la source
In this study, the effect of a linearly increasing Al composition in the last quantum barrier (LQB) on deep ultraviolet (DUV) laser diode (LD) was investigated. Simulation results show that, compared to traditional quantum barriers (QBs) with a constant Al composition, DUV LD with a linearly increasing Al composition LQB exhibit a reduced threshold current of 14.6 mA. The output power reaches 117.7 mW, and the slope efficiency increases from 1.64 W/A to 1.77 W/A. These results indicate that the use of a linearly increasing Al composition LQB structure effectively limits electron leakage, while also optimizing hole injection efficiency. As a result, the stimulated recombination rate in the active region is enhanced, leading to improved performance of the DUV LD.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Optimizing Laser Diode Performance with Al-Composition Graded Last Quantum Barriers
- Date Crossref
- 13/06/2025
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Où se fait cette recherche
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Zhengzhou University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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North Minzu University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Electrical and Information Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Zhengzhou University, North Minzu University et School of Electrical and Information Engineering.
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