Supercritical nitrogen-enhanced interface control for high-frequency T-gate GaN HEMTs fabricated on 8-inch CMOS-compatible wafer
3Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
5Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : tw. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Supercritical nitrogen-enhanced interface control for high-frequency T-gate GaN HEMTs fabricated on 8-inch CMOS-compatible wafer
- Date Crossref
- 01/01/2026
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
National Yang Ming Chiao Tung UniversityIndustrial Technology Research InstituteNational Sun Yat-sen UniversityNational Central UniversityON Semiconductor (Taiwan)
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
GaN-based semiconductor devices and materialsSemiconductor materials and devicesAdvancements in Semiconductor Devices and Circuit Design