Vanadium oxide device with tunable oxygen vacancy concentration for neuromorphic computing
0Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
A vanadium-oxygen phase diagram.Highlighted parts represent the single-phase regions.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Vanadium oxide device with tunable oxygen vacancy concentration for neuromorphic computing
- Date Crossref
- 01/10/2024
- Éditeur
- Office of Scientific and Technical Information (OSTI)
- Type
- report
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Sandia National Laboratories pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
Sandia National Laboratories California pays non établi dans la noticeStructure de recherche
Sandia National Laboratories et Sandia National Laboratories California.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Advanced Memory and Neural ComputingNeural Networks and Reservoir ComputingFerroelectric and Negative Capacitance Devices