Performance of Sub-5 nm field-effect transistors based on ZrS2/NbTe2 heterojunction from quantum transport simulations
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Performance of Sub-5 nm field-effect transistors based on ZrS2/NbTe2 heterojunction from quantum transport simulations
- Date Crossref
- 01/12/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Jiangnan University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Beijing Normal University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Science pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Physics and Astronomy pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Jiangnan University, Beijing Normal University et School of Science, avec 1 autre affiliation.
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