A novel chemically bonded interlayer for low-stress PVD epitaxial growth of LiNbO₃ films on 4H-SiC substrates
1Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A novel chemically bonded interlayer for low-stress PVD epitaxial growth of LiNbO₃ films on 4H-SiC substrates
- Date Crossref
- 01/10/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
-
Xidian University State Key Laboratory of Electromechanical Integrated Manufacturing of High-Performance Electronic Equipment pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
Shanghai Institute of Ceramics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
School of Microelectronics The State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
-
State Key Laboratory of Functional Crystals and Devices pays non établi dans la noticeStructure de recherche
-
shanxi semisic crystal co. Ltd pays non établi dans la noticeEntreprise
State Key Laboratory of Electromechanical Integrated Manufacturing of High-Performance Electronic Equipment — Xidian University, Shanghai Institute of Ceramics et The State Key Discipline Laboratory of Wide Bandgap Semiconductor Technology — School of Microelectronics, avec 2 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Semiconductor materials and devicesPhotorefractive and Nonlinear OpticsFerroelectric and Piezoelectric Materials