Mg-doped NiO hole transport layers with ultrathin ALD-MgO diffusion barriers for all-inorganic quantum dot light-emitting diodes
Rattachement africain : kr, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Mg-doped NiO hole transport layers with ultrathin ALD-MgO diffusion barriers for all-inorganic quantum dot light-emitting diodes
- Date Crossref
- 01/01/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- posted-content
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Où se fait cette recherche
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Kyonggi University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Hanyang University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Illinois Urbana-Champaign pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Urbana University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Kyonggi University, Hanyang University et University of Illinois Urbana-Champaign, avec 1 autre affiliation.
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