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Accès ouvert déclaré 2025 preprint

Mg-doped NiO hole transport layers with ultrathin ALD-MgO diffusion barriers for all-inorganic quantum dot light-emitting diodes

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4Institutions déclarées
2Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : kr, us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Mg-doped NiO hole transport layers with ultrathin ALD-MgO diffusion barriers for all-inorganic quantum dot light-emitting diodes
Date Crossref
01/01/2025
Éditeur
Elsevier BV
Type
posted-content

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Kyonggi University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Hanyang University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • University of Illinois Urbana-Champaign pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Urbana University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Kyonggi University, Hanyang University et University of Illinois Urbana-Champaign, avec 1 autre affiliation.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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