Ternary-containing Al 0.7 InAsSb digital alloys on InP and InP-on-Si [Invited]
Rattachement africain : us. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Al x In 1−x As y Sb 1−y is a promising multiplier for avalanche photodiodes (APD) on InP for near-infrared applications. In this work, we investigated the potential of two different ternary-containing layer stacks for the growth of AlInAsSb digital alloys on InP and InP-on-Si templates with applications in future photodetectors. STEM measurements confirmed high-quality material and interfaces on both substrates with no evidence of phase separation. Low dark currents and high gains were measured from PIN diodes grown on both substrates, with slightly higher dark currents observed in the Si-based device due to defects resulting from lattice mismatch in the template.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Ternary-containing Al <sub>0.7</sub> InAsSb digital alloys on InP and InP-on-Si [Invited]
- Date Crossref
- 25/09/2025
- Éditeur
- Optica Publishing Group
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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