Ultra‐High‐Speed Dilute Nitride Photodetectors on GaAs Substrate for 1310 nm Operation (Advanced Optical Materials 25/2025)
Rattachement africain : us, it. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Dilute Nitride Photodetectors Dilute nitride photodetectors at 1310 nm wavelength fabricated using standard GaAs technology are reported that operate with low dark current and ultra-high speed, despite their very low carrier mobility compared to those on InP; achieved by embedding confined cloud of electrons, kept in quasi-equilibrium, that landscape the electric field, and respond collectively to the photoelectrons, circumventing transit time limitations. More details can be found in article 10.1002/adom.202500115 by Bahram Nabet and co-workers.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Ultra‐High‐Speed Dilute Nitride Photodetectors on GaAs Substrate for 1310 nm Operation (Advanced Optical Materials 25/2025)
- Date Crossref
- 01/09/2025
- Éditeur
- Wiley
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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