Growth and characterization of 6 inch Ca 3 Ta(Ga 0.25 Al 0.75 ) 3 Si 2 O 14 for high-temperature piezoelectric applications
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
6 in. Ca 3 Ta(Ga 0.25 Al 0.75 ) 3 Si 2 O 14 (CTGAS) crystals have been successfully grown with the Czochralski technique.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Growth and characterization of 6 inch Ca <sub>3</sub> Ta(Ga <sub>0.25</sub> Al <sub>0.75</sub> ) <sub>3</sub> Si <sub>2</sub> O <sub>14</sub> for high-temperature piezoelectric applications
- Date Crossref
- 01/01/2025
- Éditeur
- Royal Society of Chemistry (RSC)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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Midea Group (China) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Shanghai Institute of Ceramics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Ningbo University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Midea Corporate Research Center pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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College of Material Science and Chemical Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Midea Group (China), Chinese Academy of Sciences et Shanghai Institute of Ceramics, avec 3 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.