Effect of oxygen content on p-type electrical conductivity in β-Ga2O3 films
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DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Effect of oxygen content on p-type electrical conductivity in β-Ga2O3 films
- Date Crossref
- 01/12/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Centre National de la Recherche Scientifique pays non établi dans la noticeOrganisme public
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Kwangwoon University Department of Electronic Materials Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Université Paris-Saclay Groupe d’Etude de la Matière Condensée (GEMaC) pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Groupe d’Étude de la Matière Condensée pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Institut Lavoisier de Versailles pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Sorbonne Université Institut des Nano Sciences de Paris (INSP) pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Institut des NanoSciences de Paris pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of Strathclyde Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Tbilisi State University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Faculty of Exact and Natural Science pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Centre National de la Recherche Scientifique, Department of Electronic Materials Engineering — Kwangwoon University et Université de Versailles Saint-Quentin-en-Yvelines, avec 8 autres affiliations.
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