Analytical model for interface recombination limited ideality factors in p-i-n perovskite solar cells
Rattachement africain : fi, hk, de, gb. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Perovskite solar cells have emerged as a promising thin-film solar cell technology. However, compared to state-of-the-art photovoltaic technologies, perovskite solar cells still suffer from large nonradiative recombination losses. A dominant nonradiative recombination channel is recombination taking place at the interfaces between the perovskite active layer and the charge carrier transport layers. In this work, the influence of nonradiative interface recombination on the open-circuit voltage and the ideality factor in p-i-n type perovskite solar cells is clarified. We derive analytical expressions for the open-circuit voltage and the ideality factor. The analytical framework is substantiated by numerical drift-diffusion simulations. For devices dominated by interface recombination at the perovskite/transport layer interface, it is found that the open-circuit voltage is limited by the electrical potential loss across the charge transport layer. As a result, the corresponding ideality factor becomes dependent on the dielectric properties of the charge transport layers. These findings suggest that the voltage loss and ideality factor can be reduced by manipulating the thickness and dielectric properties of the charge transport layers.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Analytical model for interface recombination limited ideality factors in <i>p</i>-<i>i</i>-<i>n</i> perovskite solar cells
- Date Crossref
- 27/08/2025
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Åbo Akademi University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Chinese University of Hong Kong Electronic Engineering Department pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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University of Potsdam Institute for Physics and Astronomy pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Swansea University Department of Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Faculty of Science and Engineering Physics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Åbo Akademi University, Electronic Engineering Department — Chinese University of Hong Kong et Institute for Physics and Astronomy — University of Potsdam, avec 2 autres affiliations.
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