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2025 article

Non‐Fused Conjugated Alkylfluorene Bridged Naphthalimides Cathode Interlayer Enables Low‐Noise Near‐Infrared Organic Photodiodes

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

Abstract The cathode interface layers (CILs) play a crucial role in enhancing the performance of organic photodiodes (OPDs). However, the poor film formation, the tendency of orientation and aggregation, and contact in the interface of the bulk heterojunction (BHJ)/CILs/electrode increase the dark current, leading to a limitation of light detection. In this study, we designed and synthesized a nonfused conjugated small molecule (FNA) with dioctyl fluorene (F) as the π‐bridge and N‐dimethylaminopropyl‐1,8‐naphthalimide (NA) as terminal groups. As the CIL, it significantly modifies the interfaces of BHJ/CILs/electrode and minimizes dark current density (Jd). Using PTB7‐Th:IEICO‐4F as the BHJ, FNA‐based OPDs achieve a remarkably low Jd of 1.12 × 10−8 A cm−2 (at −0.5 V) and a peak specific detectivity of 8.23 × 1012 Jones (940 nm), outperforming conventional devices with PDINN as CIL. These improvements are attributed to lower Jd by modified interfacial contact and increased photoresponse by reducing depletion region width in FNA‐based photodiodes. Furthermore, uniform photoresponse in 5 × 5 OPD pixel arrays further validates its potential for imaging applications.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Non‐Fused Conjugated Alkylfluorene Bridged Naphthalimides Cathode Interlayer Enables Low‐Noise Near‐Infrared Organic Photodiodes
Date Crossref
21/08/2025
Éditeur
Wiley
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Shenzhen University pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Tianjin University Institute of Molecular Aggregation Science pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Shenzhen Graduate School Peking University Shenzhen 518055 P.R. China GuangDong Engineering Technology Research Center of Multi‐Dimensional Optoelectronic Materials pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • School of Advanced Materials Shenzhen Key Laboratory of Organic Optoelectromagnetic Functional Materials pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • College of Materials Science and Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Shenzhen University, Institute of Molecular Aggregation Science — Tianjin University et GuangDong Engineering Technology Research Center of Multi‐Dimensional Optoelectronic Materials — Shenzhen Graduate School Peking University Shenzhen 518055 P.R. China, avec 2 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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