An All-GaN cascode device with integrated plane-parallel capacitor with high dynamic breakdown voltage and high switching performance
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4Institutions déclarées
2Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn, jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- An All-GaN cascode device with integrated plane-parallel capacitor with high dynamic breakdown voltage and high switching performance
- Date Crossref
- 01/11/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
South China Normal UniversityKey Laboratory of Guangdong ProvinceSanyo (Japan)Institute of Semiconductors
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Les sujets associés
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