Nanoscale p–n junctions based on conductive domain walls in lithium niobate films on insulators
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Le résumé fourni par la source
Conductive domain wall has emerged as a promising candidate for building blocks in nanoelectronics. We demonstrate the fabrication of domain wall p–n junctions by configuring n-type and p-type conductive domain walls in an x-cut lithium niobate film on an insulator with an electrically biased probe tip of atomic force microscopy. Taking advantage of the nanoscale nature of domain walls, domain wall p–n junctions with a feature size of a hundred of nanometers are demonstrated.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Nanoscale <i>p–n</i> junctions based on conductive domain walls in lithium niobate films on insulators
- Date Crossref
- 18/08/2025
- Éditeur
- AIP Publishing
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Institute of Applied Physics pays non établi dans la noticeInstitution
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School of Physics and TEDA Applied Physics Institute The MOE Key Laboratory of Weak-Light Nonlinear Photonics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Institute of Applied Physics et The MOE Key Laboratory of Weak-Light Nonlinear Photonics — School of Physics and TEDA Applied Physics Institute.
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