2025 conference-paper

Low Voltage Bandgap Reference using Intelligent Layout Generators in 22 nm FDSOI CMOS

Adilet Dossanov, Uwe Eichler, Benjamin Prautsch, Вадим Іссаков

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Le résumé fourni par la source

This paper presents a low-voltage bandgap reference (BGR) circuit fabricated using 22 nm CMOS fully-depleted silicon on insulator (FDSOI) technology, incorporating an adaptive body-basing technique. During the design phase, the gm/IDmethodology and the Intelligent IP (IIP) generators are utilized as essential reference strategies. The circuit occupies a chip area of 0.044 mm2and consumes only 1.8 µA of current from a 1.5 V DC supply voltage. It provides an output reference voltage of 610 mV, with a temperature coefficient (TC) of 37 ppm/°C. Additionally, it provides a current reference of 0.4 µA, with a temperature coefficient of 60 ppm/°C, and operates effectively over a wide temperature range of −40 °C to 125 °C. Furthermore, the proposed circuit offers a power supply rejection ratio of 63 dB, making it a suitable solution for low-power, stable reference voltage applications.

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Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref: Low Voltage Bandgap Reference using Intelligent Layout Generators in 22 nm FDSOI CMOS
Date Crossref: 07/07/2025
Éditeur: IEEE
Type: proceedings-article

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Où se fait cette recherche

Technische Universität Braunschweig pays non établi dans la notice
Université ou école supérieure
Fraunhofer Institute for Integrated Circuits IIS pays non établi dans la notice
Structure de recherche
Institute for CMOS Design TU Braunschweig pays non établi dans la notice
Structure de recherche

Technische Universität Braunschweig, Fraunhofer Institute for Integrated Circuits IIS et TU Braunschweig — Institute for CMOS Design.

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