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2025 article

Facile and robust synthesis of wafer-scale continuous highly oriented MoS2 films by the confined space method

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Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Facile and robust synthesis of wafer-scale continuous highly oriented MoS2 films by the confined space method
Date Crossref
01/09/2025
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Chinese Academy of Sciences Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering pays non établi dans la notice
    Organisme public
  • Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • University of Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Fudan University Institute of Optoelectronics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Dongguan University of Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • State Key Laboratory of Integrated Circuit Materials pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • International school of microelectronics pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

Center of Materials Science and Optoelectronics Engineering — Chinese Academy of Sciences, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology et University of Chinese Academy of Sciences, avec 4 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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