InGaN-based red LEDs with 682 nm emission and 9.2 % EQE enabled by a stress-relief template
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- InGaN-based red LEDs with 682 nm emission and 9.2 % EQE enabled by a stress-relief template
- Date Crossref
- 01/08/2025
- Éditeur
- Elsevier BV
- Type
- journal-article
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Où se fait cette recherche
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Hefei University of Technology pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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Jiangsu University pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Microelectronics pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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School of Mechanical Engineering pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
Hefei University of Technology, Jiangsu University et School of Microelectronics, avec 1 autre affiliation.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
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