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2025 article

Effect of coating density on plasma etch resistance and material loss of Y2O3 coatings

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2Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : kr. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.

Titre Crossref
Effect of coating density on plasma etch resistance and material loss of Y2O3 coatings
Date Crossref
01/12/2025
Éditeur
Elsevier BV
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • Yonsei University Department of Electrical and Electronic Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology Test and Reliability Center pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Ltd. LG Display Co. pays non établi dans la notice
    Entreprise

Department of Electrical and Electronic Engineering — Yonsei University, Test and Reliability Center — Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology et LG Display Co. — Ltd..

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

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