Cryogenic Nano-Imaging of Excitons in a Monolayer Semiconductor
Rattachement africain : us, jp. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
Optical measurements of 2D semiconductors have primarily relied on far-field spectroscopy techniques, which are diffraction limited to several hundred nanometers. Precisely imaging nanoscale spatial disorder requires an order of magnitude increase in resolution capabilities. Here, we present a spatially resolved study of the exciton spectra of monolayer MoSe 2 in the visible range using cryogenic scattering-type scanning near-field optical microscopy (s-SNOM) operating down to 11 K. Mapping the exciton resonance across an hBN-encapsulated MoSe 2 monolayer, we achieve sub-50 nm spatial resolution and an energy resolution below 1 meV. We further investigate the material’s near-field spectra and dielectric function, demonstrating the ability of cryogenic visible s-SNOM to reveal nanoscale disorder. Comparison to room-temperature measurements illustrates enhanced capabilities of the cryogenic s-SNOM to reveal fine-scale material heterogeneity. These results establish cryogenic visible s-SNOM as an effective nanoscale excitonic probe, offering valuable insights into 2D material heterogeneity and nanoscale sensing.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Cryogenic Nano-Imaging of Excitons in a Monolayer Semiconductor
- Date Crossref
- 30/07/2025
- Éditeur
- American Chemical Society (ACS)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Où se fait cette recherche
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University of Arizona pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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International Centre for Diffraction Data pays non établi dans la noticeOrganisation à but non lucratif
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Materials Processing (United States) pays non établi dans la noticeEntreprise
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Oak Ridge National Laboratory pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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University of Tennessee at Knoxville Institute for Advanced Materials and Manufacturing pays non établi dans la noticeUniversité ou école supérieure
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National Institute for Materials Science pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Department of Physics pays non établi dans la noticeInstitution
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IAMM Diffraction Facility pays non établi dans la noticeInstitution
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Department of Materials Science and Engineering pays non établi dans la noticeInstitution
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Materials Science and Technology Division pays non établi dans la noticeInstitution
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Research Center for Materials Nanoarchitectonics pays non établi dans la noticeStructure de recherche
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Research Center for Electronic and Optical Materials pays non établi dans la noticeStructure de recherche
University of Arizona, International Centre for Diffraction Data et Materials Processing (United States), avec 9 autres affiliations.
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.