Photoexcitation-controlled spin–orbit transport and magnetoresistance in amorphous Al 2 O 3 /SrTiO 3 (111) heterostructures
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Abstract This study systematically explores the interfacial transport properties of two-dimensional electron gas in Al 2 O 3 /SrTiO 3 (111) heterointerfaces. Low-temperature resistance is governed by the variable-range hopping mechanism, which is significantly suppressed under 360 nm illumination. Magnetotransport characterization reveals weak antilocalization (WAL) and significant Rashba spin–orbit coupling effects. Under 360 nm laser irradiation, WAL is still observed in low fields, and in high fields, high-temperature-deposited samples show MR ∝ B 2 , while low-temperature-deposited samples have MR ∝ B . Photoexcitation reduces interfacial resistance by two orders of magnitude, accompanied by enhancing carrier mobility. These findings advance understanding of spin-dependent transport and optoelectronic behaviors in oxide heterostructures, providing insights for designing spintronic devices and tunable quantum interfaces.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Photoexcitation-controlled spin–orbit transport and magnetoresistance in amorphous Al <sub>2</sub> O <sub>3</sub> /SrTiO <sub>3</sub> (111) heterostructures
- Date Crossref
- 21/08/2025
- Éditeur
- IOP Publishing
- Type
- journal-article
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Les institutions déclarées
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