Ultrahigh remanent polarization of Ce-doped HfO2 ferroelectric thin films through strain engineering
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6Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Résumé indisponible. Les résultats de l’étude ne doivent pas être déduits de son seul titre.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Ultrahigh remanent polarization of Ce-doped HfO2 ferroelectric thin films through strain engineering 通过应变工程实现Ce掺杂HfO2铁电薄膜的超高剩余极化
- Date Crossref
- 14/07/2025
- Éditeur
- Springer Science and Business Media LLC
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Beijing University of TechnologyUniversity of Science and Technology BeijingHunan UniversityChinese Academy of SciencesTechnical Institute of Physics and ChemistryInstitute of Solid State Physics
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.
Les sujets associés
Ferroelectric and Negative Capacitance DevicesMXene and MAX Phase MaterialsCardiac Structural Anomalies and Repair