Low Thermal Budget Ultrathin Ti Silicide for Advanced Backside Contact of Backside Power Delivery Network (BSPDN)
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The application of nanosecond laser annealing (NLA) for low-thermal-budget Ti silicide$(\text{TiSi}_{x})$backside contact in Backside Power Delivery Network (BSPDN) is investigated. Silicon pre-amorphization reduces surface roughness by 90% and decreases energy density by 30%, enabling high-quality$\text{TiSi}_{x}$film by NLA. Through precisely controlling the amorphous silicon thickness and energy density, self-limited ultrathin Ti silicide is achieved. Multiphysical simulations show that the NLA-induced$\text{TiSi}_{x}$process can maintain$\text{Cu}/\text{low}-k$interconnect temperature below 400°C for BSPDN.
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Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- Low Thermal Budget Ultrathin Ti Silicide for Advanced Backside Contact of Backside Power Delivery Network (BSPDN)
- Date Crossref
- 09/03/2025
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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