A Universal Method to Regulate Contact Resistance in Thin Film Transistors
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
An atomic layer deposited ultrathin$\text{Al}_{2} \mathrm{O}_{3}$film by using different oxygen precursors ($\mathrm{H}_{2} \mathrm{O}$or$\mathrm{O}_{3}$) is demonstrated to improve the contact properties of a-IGZO/Mo through different mechanisms. Combining the different processes serves as an easy-to-compliment and universal method to custom design the contact properties between channel and source/drain electrodes for oxide semiconductor based thin film transistors.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé ; titre concordant.
- Titre Crossref
- A Universal Method to Regulate Contact Resistance in Thin Film Transistors
- Date Crossref
- 09/03/2025
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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