High [dV/dt] Accelerated Hot Carrier-Induced Degradation in Power LDMOS Devices Under Repetitive Switching Stress
Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
The drain-side slew ratedV/dtenhanced hot carrier injection (HCI) of the n-type lateral double-diffused MOSFET (n-LDMOS) under dynamic drain stress conditions is experimentally investigated. The fast measurement system, utilizing pulseI–Vtechnology, is designed to generate tunabledV/dtrates for the device. The degradation characteristics caused by hot electron and hot hole injection are decoupled via pulsewidth modulation (PWM) techniques. The measuredVTHshift results cooperated with TCAD simulations have demonstrated that negativedV/dtwill exacerbates HCI induced degradation in LDMOS, while positivedV/dtexhibits no significant correlation with HCI degradation. This polarity-dependent degradation behavior fundamentally redefines reliability-aware design rules for slew rate optimized gate drivers in high-frequency power management systems.
Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.
Le contrôle bibliographique ouvert
DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.
- Titre Crossref
- High [<i>dV</i>/<i>dt</i>] Accelerated Hot Carrier-Induced Degradation in Power LDMOS Devices Under Repetitive Switching Stress
- Date Crossref
- 01/08/2025
- Éditeur
- Institute of Electrical and Electronics Engineers (IEEE)
- Type
- journal-article
Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.
Les institutions déclarées
Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.