Aller au contenu principal
2025 article

Partial congener substitution induced wide band gap witnessed in diamond-like chalcogenide ZnHg 2 P 2 S 8 and its second-order nonlinear optical properties

3Citations signalées, ce qui n’est pas une note de qualité
5Institutions déclarées
1Pays d’affiliation déclarés

Rattachement africain : cn. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.

Le résumé fourni par la source

] motifs dominate the SHG effect, while the introduction of Zn enlarges the band gap. This work not only presents an exceptional IR NLO candidate overcoming the band gap-NLO efficiency paradox, but also establishes a general design strategy for developing high-performance IR NLO materials through targeted structural engineering.

Ce résumé expose les affirmations des auteurs. BNTIC ne l’interprète pas comme une validation indépendante des résultats.

Le contrôle bibliographique ouvert

DOI retrouvé dans Crossref DOI retrouvé, mais le titre doit être comparé manuellement.

Titre Crossref
Partial congener substitution induced wide band gap witnessed in diamond-like chalcogenide ZnHg <sub>2</sub> P <sub>2</sub> S <sub>8</sub> and its second-order nonlinear optical properties
Date Crossref
01/01/2025
Éditeur
Royal Society of Chemistry (RSC)
Type
journal-article

Ce recoupement confirme des métadonnées liées au DOI. Il ne confirme ni la méthode ni les conclusions de l’étude, et il ne compte pas comme une seconde source scientifique indépendante.

Où se fait cette recherche

  • University of Electronic Science and Technology of China pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • China Academy of Engineering Physics pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Chinese Academy of Sciences pays non établi dans la notice
    Organisme public
  • Technical Institute of Physics and Chemistry pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • Henan Institute of Science and Technology pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Institute of Chemical Materials pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • School of Optoelectronic Science and Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure
  • Functional Crystals Lab pays non établi dans la notice
    Structure de recherche
  • School of Mechanical and Electrical Engineering pays non établi dans la notice
    Université ou école supérieure

University of Electronic Science and Technology of China, China Academy of Engineering Physics et Chinese Academy of Sciences, avec 6 autres affiliations.

Une affiliation ne permet pas de déduire la nationalité d’un auteur.

Les sujets associés

Crystal Structures and PropertiesChalcogenide Semiconductor Thin FilmsSolid State Laser Technologies

BNTIC News n’est pas le producteur de ces données. Les publications sont interrogées à la demande dans Crossref, OpenAIRE, DOAJ, Europe PMC, HAL, DataCite, AfricArXiv, ROR et la Banque mondiale, sans clé d’accès. OpenAlex reste optionnel. Aucun service payant n’est nécessaire et aucune donnée externe n’est enregistrée en base. Consulter les sources et leurs limites.