Impact of the Series Resistance on Switching Characteristics of 1T1R HfO2-based RRAM Devices
Rattachement africain : de, es. Niveau de preuve : code pays fourni par la source.
Le résumé fourni par la source
This study investigates the influence of the series resistance (RS) on the switching characteristics of 1-transistor-1-resistor (1T1R) RRAM devices based on HfO2and Al:HfO2dielectrics. Intrinsic RSvalues were extracted from I-V characteristics measured over 50 Reset-Set cycles at various gate voltages (VG) by using a numerical transformation method. Results reveal the contribution of the transistor’s resistance to the overall RS. A linear relationship between RSvalues and Set transition voltages (VTS) was found, with larger RSvalues amplifying the variability in switching parameters. Comparative analysis of cumulative distribution functions (CDFs) highlights differences between technologies, showing lower VTSvalues as well as lower sensitivity to RSfor Al:HfO2-based devices. These findings underscore the critical role of RSin modeling and optimizing the performance of RRAM devices for reliable operation.
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Le contrôle bibliographique ouvert
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- Titre Crossref
- Impact of the Series Resistance on Switching Characteristics of 1T1R HfO<sub>2</sub>-based RRAM Devices
- Date Crossref
- 27/01/2025
- Éditeur
- IEEE
- Type
- proceedings-article
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Les institutions déclarées
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